MT3S113TU،LF
سازنده:
نیمه هادی توشیبا
توضیحات:
RF SIGE HETEROJUNCTION دوقطبی N
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
ولتاژ - خرابی امیتر کلکتور (حداکثر)::
5.3 ولت
رده محصولات ::
ترانزیستورهای دوقطبی RF
کسب کردن ::
12.5 دسی بل
سهام کارخانه::
0
نوع ترانزیستور::
NPN
حداقل تعداد ::
3000
بسته دستگاه تامین کننده::
UFM
شکل نویز (dB نوع @ f)::
1.45دبی @ 1GHz
وضعیت قطعه::
فعال
فعلی - گردآورنده (Ic) (حداکثر) ::
100 میلی آمپر
قدرت - حداکثر::
900 میلی وات
بسته بندی ::
نوار و حلقه (TR)
@ تعداد::
0
فرکانس - انتقال::
11.2 گیگاهرتز
افزایش جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce::
200 @ 30mA، 5V
دمای عملیاتی::
150 درجه سانتی گراد (TJ)
بسته / کیس::
3-SMD، سرنخ های مسطح
نوع نصب::
ارتفاع سطح
سلسله ::
-
سازنده ::
نیمه هادی توشیبا
مقدمه
MT3S113TU،LF،از توشیبا نیمه هادی،ترانزیستورهای دوقطبی RF هستند. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند،که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
محصولات مرتبط
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
2SC5086-O،LF |
TRANS RF NPN 12V 1MHZ SSM
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: