IRF6711STR1PBF
سازنده:
تکنولوژی های اینفینیون
توضیحات:
ماسفت N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
رده محصولات ::
ماسفت
Vgs (حداکثر)::
± 20 ولت
جریان - تخلیه پیوسته (Id) @ 25°C::
19A (Ta)، 84A (Tc)
@ تعداد::
0
نوع FET::
کانال N
نوع نصب::
ارتفاع سطح
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs::
20nC @ 4.5V
سازنده ::
تکنولوژی های اینفینیون
حداقل تعداد ::
1000
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)::
4.5 ولت، 10 ولت
سهام کارخانه::
0
دمای عملیاتی::
-40 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
ویژگی FET::
-
سلسله ::
HEXFET®
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds::
1810pF @ 13V
بسته دستگاه تامین کننده::
DIRECTFET™ SQ
وضعیت قطعه::
از کار افتاده
بسته بندی ::
نوار و حلقه (TR)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs::
3.8 mOhm @ 19A، 10V
اتلاف نیرو (حداکثر)::
2.2 وات (Ta)، 42 وات (Tc)
بسته / کیس::
DirectFET™ Isometric SQ
فن آوری ::
ماسفت (اکسید فلز)
Vgs(th) (حداکثر) @ ID ::
2.35 ولت @ 25μA
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)::
25 ولت
مقدمه
IRF6711STR1PBF، از Infineon Technologies، MOSFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارد، که در قطعات اصلی و جدید است.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: