IRF7464TRPBF
سازنده:
تکنولوژی های اینفینیون
توضیحات:
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
رده محصولات ::
ماسفت
Vgs (حداکثر)::
± 30 ولت
جریان - تخلیه پیوسته (Id) @ 25°C::
1.2A (Ta)
@ تعداد::
0
نوع FET::
کانال N
نوع نصب::
ارتفاع سطح
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs::
14nC @ 10V
سازنده ::
تکنولوژی های اینفینیون
حداقل تعداد ::
4000
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)::
10 ولت
سهام کارخانه::
0
دمای عملیاتی::
-55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
ویژگی FET::
-
سلسله ::
HEXFET®
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds::
280pF @ 25V
بسته دستگاه تامین کننده::
8-SO
وضعیت قطعه::
از کار افتاده
بسته بندی ::
نوار و حلقه (TR)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs::
730 میلی اهم با 720 میلی آمپر، 10 ولت
اتلاف نیرو (حداکثر)::
2.5 وات (Ta)
بسته / کیس::
8-SOIC (0.154 اینچ عرض 3.90mm)
فن آوری ::
ماسفت (اکسید فلز)
Vgs(th) (حداکثر) @ ID ::
5.5 ولت @ 250 µA
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)::
200 ولت
مقدمه
IRF7464TRPBF،از Infineon Technologies،MOSFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارد،که در قطعات اصلی و جدید است.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: