IRF6646TR1
سازنده:
تکنولوژی های اینفینیون
توضیحات:
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
رده محصولات ::
ماسفت
Vgs (حداکثر)::
± 20 ولت
جریان - تخلیه پیوسته (Id) @ 25°C::
12A (Ta) ، 68A (Tc)
@ qty ::
0
نوع FET::
کانال N
نوع نصب::
ارتفاع سطح
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs::
50nC @ 10V
سازنده ::
تکنولوژی های اینفینیون
حداقل تعداد ::
1000
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)::
10 ولت
Factory Stock ::
0
دمای عملیاتی::
-40 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
ویژگی FET::
-
سلسله ::
HEXFET®
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds::
2060pF @ 25V
بسته دستگاه تامین کننده::
DIRECTFET™ MN
وضعیت قطعه::
از کار افتاده
بسته بندی ::
نوار و حلقه (TR)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs::
9.5 mOhm @ 12A، 10V
اتلاف نیرو (حداکثر)::
2.8W (Ta) ، 89W (Tc)
بسته / کیس::
DirectFETTM Isometric MN
فن آوری ::
ماسفت (اکسید فلز)
Vgs(th) (حداکثر) @ ID ::
4.9V @ 150μA
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)::
80 ولت
مقدمه
IRF6646TR1، از Infineon Technologies، MOSFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارد، که در قطعات اصلی و جدید است.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: