مشخصات
رده محصولات ::
ماسفت
Vgs (حداکثر)::
± 20 ولت
جریان - تخلیه پیوسته (Id) @ 25°C::
44A (Tc)
@ تعداد::
0
نوع FET::
کانال N
نوع نصب::
ارتفاع سطح
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs::
65nC @ 10V
سازنده ::
تکنولوژی های اینفینیون
حداقل تعداد ::
450
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)::
10 ولت
سهام کارخانه::
0
دمای عملیاتی::
-55 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد (TJ)
ویژگی FET::
-
سلسله ::
HEXFET®
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds::
1300pF @ 25V
بسته دستگاه تامین کننده::
دی پاک
وضعیت قطعه::
از کار افتاده
بسته بندی ::
لوله
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs::
27 mOhm @ 26A، 10V
اتلاف نیرو (حداکثر)::
107 وات (Tc)
بسته / کیس::
TO-252-3، DPak (2 Lead + Tab)، SC-63
فن آوری ::
ماسفت (اکسید فلز)
Vgs(th) (حداکثر) @ ID ::
4 ولت @ 250 µA
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)::
55 ولت
مقدمه
IRFR1205، از Infineon Technologies، MOSFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارد، که در قطعات اصلی و جدید است.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: