DMN2400UFDQ-7
سازنده:
دیود های متداول
توضیحات:
MOSFET 20V N-Ch Enh FET VL دروازه 1.0V
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
قطبیت ترانزیستور::
کانال N
فن آوری ::
سی
شناسه - جریان تخلیه مداوم::
900 میلی آمپر
سبک نصب::
SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی::
- 55 درجه سانتیگراد
بسته / کیس::
U-DFN1212-3
حداکثر دمای عملیاتی::
+ 150 درجه سانتیگراد
حالت کانال::
تقویت
Vds - ولتاژ شکست منبع تخلیه::
20 ولت
بسته بندی ::
قرقره
Vgs th - ولتاژ آستانه دروازه منبع::
450 میلی ولت
رده محصولات ::
ماسفت
Rds On - مقاومت منبع تخلیه::
350 میلی اهم
تعداد کانال ها::
1 کانال
Vgs - ولتاژ منبع گیت::
12 V
Qg - شارژ گیت ::
500 عدد
سازنده ::
دیود های متداول
مقدمه
DMN2400UFDQ-7، از شرکت دیودز، MOSFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی، که در قطعات اصلی و جدید است.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
محصولات مرتبط
ZXMP3A16DN8TA
MOSFET Dl 30V P-Chnl UMOS
BSS127S-7
MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23
DMT6009LFG-7
MOSFET 60V N-Ch Enh FET Low Rdson
DMP6023LSS-13
MOSFET P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
DMN61D8LVT-13
MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
DMC1229UFDB-13
MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
DMN1019UFDE-7
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
DMNH4015SSD-13
MOSFET 2 N-CHANNEL 11A 8SO
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
ZXMP3A16DN8TA |
MOSFET Dl 30V P-Chnl UMOS
|
|
|
|
BSS127S-7 |
MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23
|
|
|
|
DMT6009LFG-7 |
MOSFET 60V N-Ch Enh FET Low Rdson
|
|
|
|
DMP6023LSS-13 |
MOSFET P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
|
|
|
|
DMN61D8LVT-13 |
MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
|
|
|
|
DMC1229UFDB-13 |
MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
|
|
|
|
DMN1019UFDE-7 |
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
|
|
|
|
DMNH4015SSD-13 |
MOSFET 2 N-CHANNEL 11A 8SO
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: